[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构

摘要

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：形成预备基底结构，预备基底结构包括衬底、堆叠结构、栅介电层以及介质材料层，其中，堆叠结构位于衬底上，堆叠结构包括本体结构和位于本体结构中的沟道孔，本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，栅介电层位于沟道孔的内壁上，介质材料层位于栅介电层的部分表面上，且介质材料层的裸露表面低于本体结构的远离衬底的表面；去除部分的栅介电层，使得沟道孔的远离衬底的部分侧壁裸露，剩余的预备基底结构为基底结构，沟道孔中未被填充的部分形成凹槽；在凹槽中形成插塞；在插塞的裸露表面上形成导电柱。这样保证了半导体结构的成本较低。