[发明专利]超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 202111267243.8 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114088707A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 顾小英;赵青松;狄聚青;牛晓东 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N1/32;G01N1/34 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 239004 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开一种超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，包括以下步骤：步骤一，取片：从超高纯锗单晶纯度合格晶体段两头取单晶片，将单晶片单面铣磨平整光滑；步骤二，配置腐蚀液；步骤三，腐蚀单晶片；步骤四，清洗吹干；步骤五，检测：先观察单晶片表面是否有缺陷，如有将用金相显微镜确认是盘状坑、系数结构体、马赛克结构中的哪种缺陷；然后对单晶片进行位错检测；步骤六，缺陷图：将晶体型号、盘状坑、系数结构体、马赛克结构缺陷、检测点的位错密度、单晶片的位错密度EPD标注在缺陷图上。本公开的方法得到的缺陷图由位错密度、盘状坑、系数结构体、马赛克结构构成，可直观看出单晶片的缺陷种类，分布情况及数值。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 锗单晶 100 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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