[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法在审
| 申请号： | 202111269112.3 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114446822A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 高桥朋宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(100)具备：衬底保持部(120)，保持衬底(W)；处理槽(110)，贮存用于浸渍被保持在衬底保持部(120)的衬底(W)的处理液(L)；及多个气泡产生管(136)，通过对处理液(L)供给气体而使处理液(L)中产生气泡。多个气泡产生管(136)之中，供给到外侧气泡产生管(136a、136d)的气体的流量多于供给到内侧气泡产生管(136b、136c)的气体的流量，所述外侧气泡产生管(136a、136d)位于浸渍在处理液(L)中的衬底(W)的外周区域下方，所述内侧气泡产生管(136b、136c)位于衬底(W)的中央区域下方。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
