[发明专利]一种单孔坩埚制备工艺在审
| 申请号： | 202111270907.6 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113845363A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;赵长青;常建伟;霍红旗 | 申请（专利权）人： | 武陟县虹桥碳素有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B35/66 | 分类号： | C04B35/66;C04B35/52;C04B35/622 |
| 代理公司： | 焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙) 41133 | 代理人： | 郑菊梅 |
| 地址： | 454950 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单孔坩埚制备工艺，包括以下步骤：S1：按照百分比取碳化硅10‑30％，沥青5‑10％，焦油15‑25％，石墨30‑50％，黏土10‑15％，腊石5‑8％，碳酸钙0.6‑1.1％，硫酸亚铁0.3‑0.8％，硬脂酸0.2‑0.5％，硅酸钠2‑3％，聚乙烯醇0.8‑3％混合均匀形成混合配料；S2：将混合配料放入球磨机中进行研磨并放置适量蒸馏水进行混合形成浆料；S3：将浆料倒入坩埚制作模具内进行振动压型，使得浆料硬化成型成为坩埚坯体；S4：将坩埚坯体放入烧结室内进行烧结，形成坩埚成品。本发明热胀冷缩的变形量小，装炉量和装容量增加，提高了产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单孔 坩埚 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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