[发明专利]一种半导体结构及其制备方法、三维存储器

摘要

本发明公开一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及三维存储器件技术领域技术领域，用于提供一种可以减少光刻次数且台阶侧壁形貌较佳的台阶结构的技术方案。半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上依次形成层叠设置的N个堆叠结构；对所述N个堆叠结构依次进行m次光刻和刻蚀，得到具有N个台阶的目标台阶结构；其中，N大于m，所述N与m满足预设关系。半导体结构，根据上述的半导体结构的制备方法制备。三维存储器，包括上述半导体结构。