[发明专利]一种掩模参数优化方法及装置在审
申请号: | 202111274722.2 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN114137792A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 何建芳;韦亚一;粟雅娟;董立松;张利斌;陈睿;马乐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/70;G03F7/20 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 付婧 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模参数优化方法,方法包括:获取测试图形、光源参数、初始掩模参数,初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角;根据初始掩模参数中的初始掩模侧壁角生成多组候选掩模参数;多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度;基于测试图形和光源参数得到每组候选掩模参数的成像对比度;根据成像对比度从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。通过生成多组包括不同掩模侧壁角和相同掩模厚度的掩模参数,并对这些组掩模参数分别进行模拟,以得到每组掩模参数的成像对比度,从而根据成像对比度找到最优掩模侧壁角。从而,通过对多层膜透镜结构的掩模参数进行优化,也可以显著改善成像对比度,并提升成像分辨力。 | ||
搜索关键词: | 一种 参数 优化 方法 装置 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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