[发明专利]一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片有效
| 申请号： | 202111277261.4 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113894695B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 唐林锋;宋向荣;周铁军;马金峰;刘火阳;廖和杰 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08;B24B37/04;B24B37/005;B24B49/00;B24B49/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张柳 |
| 地址： | 511500 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片。所述锑化镓晶片的双面抛光方法包括以下步骤：A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行双面粗抛；所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂、抛光离子增强剂和水；B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行双面精抛，得到锑化镓双抛片；所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂和水。本发明提供的锑化镓晶片的双面抛光方法包括两步抛光：双面粗抛和双面精抛。通过采用特定的粗抛试剂和精抛试剂进行双面粗抛和双面精抛，最终制备的锑化镓双抛片平整度较高，粗糙度较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化镓 晶片 双面 抛光 方法 锑化镓双抛片 | ||
【主权项】：
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