[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111282400.2 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN116072725A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李永顺;宋亮;金华俊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；漏极区，设置在所述衬底中，与所述漂移区相接触；体区，设置在所述衬底中；绝缘层，至少部分设置在所述体区中；源极区，位于所述绝缘层上；及栅极结构，设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。本发明通过绝缘层在源极区和体区之间形成隔离，能够减轻源极区和体区形成的PN结导通导致的寄生效应，减小损耗，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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