[发明专利]半导体结构、其制作方法、存储器、存储系统与电子设备在审
| 申请号： | 202111284207.2 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114023822A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王欣;许文山;甘程 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/11573;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张岳峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构、其制作方法、存储器、存储系统与电子设备。半导体结构包括基底结构、栅极结构、介质层和金属层，其中，基底结构包括间隔的源区和漏区，源区和漏区包括轻掺杂漏区，栅极结构位于基底结构的表面上且部分位于间隔的轻掺杂漏区之间，介质层至少位于轻掺杂漏区的表面上，金属层位于介质层的远离轻掺杂漏区的表面上，且与零电位连接。因此，该半导体结构，通过在轻掺杂漏区上形成介质层，在介质层上形成金属层，将金属层连接零电位，使得轻掺杂漏区和栅极结构重叠的地方的电子从轻掺杂漏区的表面向底部移动，进而缓解了轻掺杂漏区与栅极结构的重叠区域的电场过大而导致器件较早的发生击穿的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 存储器 存储系统 电子设备 | ||
【主权项】：
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