[发明专利]基于反铁电栅介质与氧化物半导体沟道的FeFET及其制备方法在审
| 申请号： | 202111287366.8 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114141880A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 唐克超;梁中新;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于反铁电栅介质与氧化物半导体沟道的FeFET及其制备方法，属于微纳电子学领域。该FeFET器件包括一绝缘衬底，绝缘衬底上是图形化的背栅电极层，背栅电极层上是反铁电栅介质材料层，反铁电栅介质层上是氧化物半导体材料层作为沟道，沟道上方的左右两侧分别是源和漏接触电极，背栅电极层和氧化物半导体材料层的功函数差为1eV～2eV之间，为反铁电栅介质材料层提供一内建电场，反铁电栅介质材料形成两种不同的存储状态。本发明利用反铁电栅介质替换传统铁电栅介质，且采用氧化物半导体沟道替换传统硅基沟道，从而提高存储器件的耐久特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 反铁电栅 介质 氧化物 半导体 沟道 fefet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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