[发明专利]焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法在审
| 申请号： | 202111288180.4 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114002581A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 董绪丰;廖柯 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01N21/956;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 张丽楠 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，包括在芯片两个侧面上对应瑕疵点的位置处分别刻画出第一标记和第二标记；以第一标记和第二标记的痕迹的连线作为划片轨迹，在待检查芯片的探测器端形成第一划片道，在读出电路端形成第二划片道；将待检查芯片放置在冷却夹具上固定，倒入液氮使待检查芯片沿着划片道的位置形成整齐的芯片断裂面；采用显微镜或SEM通过芯片断裂面对芯片内凸点连接的状态进行检查。本发明中，能够将芯片解剖位置与电性能测试中的瑕疵位置进行像素级对应，可适用于10μm凸点间距的焦平面芯片的定位解剖；可为微米级间距焦平面芯片倒焊工艺质量技术分析提供有效手段，以利于倒焊互连质量改进。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 阵列 探测器 芯片 内部 互连 情况 检测 方法 | ||
【主权项】：
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