[发明专利]半导体器件、制作方法及三维存储器

摘要

本发明提供了一种半导体器件、制作方法及三维存储器，半导体器件的制作方法包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底上包括交替堆叠的栅极层和绝缘层的堆叠结构、贯穿堆叠结构并延伸到衬底中的沟道结构以及贯穿堆叠结构并将堆叠结构分割为若干部分的栅线缝隙；在栅线缝隙内形成第一填充层；在第一填充层的至少部分内壁形成第二填充层；其中，第一填充层的材料包括氧化物，第二填充层的材料包括非晶硅，第一填充层和第二填充层构成栅线缝隙结构，通过在栅线缝隙中形成材料不同的第一填充层和第二填充层，调整半导体器件在水平方向和竖直方向的翘曲值，从而改善半导体器件的翘曲问题，以提高半导体器件的产品良率。