[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202111292206.2 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114121663A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 邱岩栈 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的形成方法，包括：形成刻蚀停止层，覆盖衬底、第一栅极结构、第一嵌入式外延层、第二栅极结构、第二嵌入式外延层和隔离层所暴露的表面，第二栅极结构高于第二栅极结构；在刻蚀停止层表面形成第一介电层；进行第一次刻蚀，使第一介电层的高度低于第二硬掩模层和第四硬掩模层的高度；形成平坦化停止层，平坦化停止层覆盖第一介电层和第二硬掩模层、第四硬掩模层所暴露的表面；去除第二区域的平坦化停止层，第二区域是形成第二栅极结构的区域；形成第二介电层，第二介电层覆盖第一介电层、平坦化停止层和刻蚀停止层；进行平坦化处理，直至平坦化停止层暴露；进行第二次刻蚀，直至第一硬掩模层和第二硬掩模层暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
