[发明专利]形成纳米线器件的方法在审
| 申请号： | 202111293126.9 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114242763A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/165;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 卫李贤;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成纳米线器件的方法。该方法包括：在衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层；通过蚀刻交替层形成多个鳍结构并在多个鳍结构附近形成沟槽；在多个鳍结构上形成鳍间隔物；执行第二沟槽蚀刻以使多个鳍结构的底部鳍区露出；使底部鳍区氧化；横跨和在所述多个鳍结构上形成多个间隔物，其中纳米线结构位于多个间隔物之间；在多个间隔物之间的所述纳米线结构上形成牺牲栅电极；从衬底上的源极/漏极区去除多个鳍结构的一部分，然后在源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中源极/漏极区位于所述多个间隔物附近；从多个间隔物之间去除牺牲栅电极；以及从位于多个间隔物之间的多个鳍结构中去除所述硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111293126.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种农村用干蚕豆存放罐
- 下一篇：一种设备振动实时分析健康诊断系统
- 同类专利
- 专利分类
