[发明专利]形成金属掩模的方法与金属掩模有效

专利信息
申请号: 202111297972.8 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN114108039B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 杨芸佩;林仁顺;张郁伟 申请(专利权)人: 达运精密工业股份有限公司
主分类号: C25D1/10 分类号: C25D1/10;C25D1/00
代理公司: 北京市立康律师事务所 11805 代理人: 梁挥;孟超
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种形成金属掩模的方法包括接收导电基材,包括第一表面、相对于第一表面的第二表面、连接第一表面和第二表面的第三表面、以及相对于第三表面的第四表面,第四表面连接第一表面和第二表面。方法还包括自第一表面向第二表面方向交错形成数个沟槽和数个突出部,并且填入绝缘材料至沟槽中,其中绝缘材料覆盖突出部的一部分。方法还包括形成金属层在导电基材上,其中金属层披覆于突出部未被绝缘材料所覆盖的其他部分。方法还包括移除绝缘材料、以及移除导电基材,而使金属层成为金属掩模,并形成具有数个条状结构的立体态样。
搜索关键词: 形成 金属 方法
【主权项】:
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