[发明专利]接合结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111299991.4 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115642140A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 庄东汉;蔡幸桦 | 申请（专利权）人： | 乐鑫材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种接合结构及其形成方法，包括：第一基板；第二基板，与第一基板相对设置；第一接合层，于第一基板上；第二接合层，于第二基板上并与第一接合层相对设置；以及银部件，于第一接合层与第二接合层之间。银部件包括银纳米孪晶结构，且银纳米孪晶结构具有平行排列孪晶界。银纳米孪晶结构包括90％以上的[111]结晶方位。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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