[发明专利]一种提拉法生长氧化镓晶体的双腔结构与方法有效
| 申请号： | 202111306205.9 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114232070B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张辉;王嘉斌;夏宁;马可可;刘莹莹;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 杭州镓仁半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 311202 浙江省杭州市萧山区宁围*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提拉法生长氧化镓晶体的双腔结构与方法，包括主腔体、第二腔体、加热线圈、保温材料组件以及提拉旋转装置，所述第二腔体设置于主腔体的顶端并与主腔体相通，所述主腔体中心处设有坩埚托与加热坩埚，所述坩埚托下方设有坩埚升降装置；其中，所述第二腔体与主腔体之间设有推拉式挡块装置，用于将第二腔体与主腔体隔绝；所述提拉旋转装置上设有籽晶更换装置；在晶体原料熔融引晶生长前，将籽晶下降至主腔体接触熔体，通过快速放肩，包覆漂浮物生长，然后控制籽晶杆提升至本发明设计中提及的第二腔体内，通过设计的中间隔板装置密封主腔体，更换新的籽晶后重新引晶生长，从而避免熔体表面漂浮物对后续晶体生长产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提拉法 生长 氧化 晶体 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州镓仁半导体有限公司，未经杭州镓仁半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111306205.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
