[发明专利]半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111312080.0 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN114242765A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李杰;张曌;魏国栋;刘玮 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 钟善宝 |
| 地址： | 518116 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：提供基底；于基底内形成沟槽；于沟槽内形成分裂栅结构，分裂栅结构包括虚拟分裂栅结构及引出部，引出部位于虚拟分裂栅结构的上表面；与传统垂直栅MOS管原胞结构相比，在同等面积尺寸下，引出部的上表面与沟槽的上表面相平齐，便于引出部与后续形成的金属电极层短接，致使半导体器件结构加压时耗尽区的中心点下移，致使P结P区耗尽时的电场强度降低而增加击穿电压，使得本申请半导体器件结构相较于传统原胞结构在同一击穿电压下，原胞个数相对减小，在同规格条件下，极大降低寄生栅漏电容Cdg，有效降低器件的开关损耗，降低发热，提高器件的可靠性和安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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