[发明专利]二维半导体电致发光装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202111322090.2 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114096028A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 李永卓;冯家斌;宁存政;孙皓;甘霖 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H05B33/06 | 分类号： | H05B33/06;H05B33/10;H05B33/22 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 孙诗惠 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维半导体电致发光装置及其制备方法，所述二维半导体电致发光装置包括：衬底，衬底包括第一主表面；电极层，电极层设在第一主表面上，电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个第一电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第二电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第一电极体和多个第二电极体沿衬底的横向交错布置，相邻的第一电极体和第二电极体在衬底的横向上间隔开，第一电极体和第二电极体的极性相反；二维半导体层，二维半导体层设在电极层在衬底的厚度方向上远离衬底的一侧；介电层，介电层的至少部分在衬底的厚度方向上位于二维半导体层和电极层之间。本发明的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 半导体 电致发光 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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