[发明专利]一种管座芯片共晶装置在审
| 申请号： | 202111336080.4 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113990789A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 俞韶军;范思雨;步晨嘉;付昭辉 | 申请（专利权）人： | 浙江辛帝亚自动化科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;H01L21/52 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 王丽丹 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种管座芯片共晶装置，包括底座、共晶台和控制系统，所述共晶台下方设有加热座，加热座内设有加热棒，用于加热共晶台，还包括氮气加热装置、TO管座定位夹取装置和顶杆定位装置；所述TO管座定位夹取装置包括管座吸嘴、手指夹片、导轨滑块和气缸，所述手指夹片固定在导轨滑块两侧，通过气缸实现水平移动，所述管座吸嘴设置于手指夹片中间，通过吸嘴安装座固定，并连接气管接头，外接气源；所述氮气加热装置设置于共晶台一侧，包括氮气加热组件和共晶台罩。本发明解决了现有多次夹取造成管座表面划痕多而深的问题。且在共晶台上方设置氮气加热装置，保证共晶温度的稳定性，共晶效果好，管座芯片共晶成品达到品质要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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