[发明专利]多组份空心阵列结构过渡金属硒化物电极材料及制备方法有效
| 申请号： | 202111339082.9 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114204017B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 詹红兵;王亚光;蔡道平;陈奇俤 | 申请（专利权）人： | 闽都创新实验室 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M10/36;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 俞舟舟;蔡学俊 |
| 地址： | 350116 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多组分空心阵列结构过渡金属硒化物电极材料及制备方法，为了进一步提高混合型过渡金属硒化物电极材料的电化学性能，在生长ZIF‑67（MOFs）后，将其进行转化成空心结构，最后进行硒化，生长得到的类似糖葫芦状的结构，这种空心结构有利于促进电解液的充分渗透，加快离子和电子的传输，因此有效提高了电极材料的利用率并提高了比容量，从而提高电化学性能。制备的电极材料微观形貌上大小均一的镍钴硒化物颗粒像糖葫芦状串联在硒化镍纳米管阵列上，并且具有较高的比容量、优良的倍率性能和循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 多组份 空心 阵列 结构 过渡 金属 硒化物 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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