[发明专利]一种引线框架的制作方法有效
| 申请号： | 202111339289.6 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113782453B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 邵冬冬 | 申请（专利权）人： | 深圳中科四合科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人： | 霍如肖 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种引线框架的制作方法和引线框架结构，包括：在框架基材的表面设置第一抗镀层，对第一抗镀层的曝光、显影获得第一凹槽；通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充第一凹槽，获得第一凸台；在第一凸台和第一抗镀层上设置第二抗镀层，对第二抗镀层的曝光、显影获得第二凹槽，第二凹槽位于第一凸台的上部，第二凹槽的局部位于第一抗镀层的上部；通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充第二凹槽，在第一凸台上形成盖帽结构；去除第一抗镀层和第二抗镀层，盖帽结构、第一凸台和框架基材构成工字型结构，能够增大引线框架与塑封体结合的结合面，降低引线框架与塑封体之间的应力，增强引线框架与塑封体的结合力，降低分层和产生裂纹的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引线 框架 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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