[发明专利]一种利用硅衬底散热的GaN晶圆加工工艺在审
| 申请号： | 202111342253.3 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114093830A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 童杨益 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种利用硅衬底散热的GaN晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、完成硅衬底GaN晶圆的正面元件制程；S2、将硅衬底GaN晶圆正面暂时性键合玻璃载板；S3、翻转硅衬底GaN晶圆，通过研磨、蚀刻的方式对晶圆背面的硅衬底进行减薄；S4、利用光刻及干蚀刻在减薄后的硅衬底表面制作散热鳍片；S5、在晶圆背面涂布聚酰亚胺，填充散热鳍片的间隙，利用激光或钻石刀轮从晶圆背面切割断开切割道；S6、将晶圆背面贴附于切割模框上，利用激光将正面键合的玻璃载板解键合，将玻璃载板移除后清洗除去黏着层，完成硅衬底GaN晶圆的加工。本发明在硅衬底GaN晶圆的硅衬底上开设散热鳍片，从而可以用风冷或水冷的方式从元件背面进行高效率的散热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 衬底 散热 gan 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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