[发明专利]半导体存储装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202111348460.X | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114068404A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈云;詹益旺;陈凡;刘强;李宝玉;江丽贞 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种半导体存储装置及其制备方法，能够满足制造微小线宽图案的分辨率需求或制作工艺需求。半导体存储装置的制备方法包括以下步骤：提供衬底，上表面形成有导电结构层；图形化导电结构层，从而形成包括第一图案结构的第一导电结构，第一图案结构沿第一方向延伸，在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度，第一图案结构还包括末端导电结构，末端导电结构包括沿第一方向依次设置的内侧加宽部以及外侧加宽部，分别用于沿第三方向延伸第一图案结构，以及沿第四方向延伸第一图案结构，且第三方向和第四方向均非平行于第一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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