[发明专利]一种MEMS传感器的制作方法及其MEMS传感器在审
| 申请号： | 202111349314.9 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114132889A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 端木鲁玉;田峻瑜;闫文明 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 柳岩 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了提供一种MEMS传感器的制作方法及其MEMS传感器，包括如下步骤：在基板的表面设置MEMS芯片和ASIC芯片；在基板的表面设置具有第一声孔的第一壳体，且所述MEMS芯片和所述ASIC芯片均位于所述第一壳体的内侧；在所述第一声孔的远离所述基板的一侧贴附防水透气膜；在所述第一壳体的外侧套设具有第二声孔的第二壳体，所述第二声孔与所述第一声孔相对，所述防水透气膜的远离所述第一壳体的一侧固定于所述第二壳体。本申请实施例公开的MEMS传感器的制作方法及其MEMS传感器，设计合理，制作方法简单，不仅能保证MEMS传感器具有较好的防水性能，而且提高了MEMS传感器的抗干扰性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 传感器 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
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