[发明专利]一种多芯片扇出型封装方法及封装结构在审

专利信息
申请号: 202111352303.6 申请日: 2021-11-16
公开(公告)号: CN114068337A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 潘明东;许连军;陈益新;徐海 申请(专利权)人: 江苏芯德半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31
代理公司: 南京华恒专利代理事务所(普通合伙) 32335 代理人: 裴素艳
地址: 210000 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种多芯片扇出型封装方法及封装结构,在透明载板上依次制作复合分离层和金属层,在金属层上形成再布线金属线路层及对应金属焊盘,将芯片焊接到再布线金属线路层并填充形成填充层;在塑封形成包封体后做处理得到塑封晶圆,通过腐蚀等处理去除金属层,使再布线金属线路层底部形成底层金属凸块,底层金属凸块与再布线金属线路层底部的导线相连通;最后上述处理后的塑封晶圆整体减薄、贴膜后和切割成若干单颗独立封装体。
搜索关键词: 一种 芯片 扇出型 封装 方法 结构
【主权项】:
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