[发明专利]离子作用多功能蒸发溅射源在审
| 申请号： | 202111353006.3 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114032520A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴向方;赵维巍 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳） |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/24 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 谢松 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述离子作用多功能蒸发溅射源包括基座，以及堆叠设置于所述基座上的磁场分布组件、水冷组件、气体供给组件和阴极组件，所述磁场分布组件用于给所述阴极组件提供磁场；所述气体供给组件用于向所述阴极组件内供给反应气体或者惰性气体。本申请公开的蒸发溅射源工作时，通过气体供给组件向阴极组件内供气，通过阴极组件内部产生放电使进入阴极组件的气体发生电离，从而与靶材反应，有利于蒸发成膜，提高镀膜效果。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 作用 多功能 蒸发 溅射 | ||
【主权项】：
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