[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202111357630.0 | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN114551284A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 渡边刚史;土山正志;榎木田卓;山本太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。抑制基板处理装置的占地面积。基板处理装置包括:载体模块,其载置收纳基板的载体;一个处理模块,自载体模块向一个处理模块输送基;另一处理模块,其与一个处理模块重叠并且自另一处理模块向载体模块输送基板;升降移载机构,其具备沿横向延伸的轴和与基板相对并进行支承的支承面,使轴和支承部在用于相对于第1处理模块输送机构交接基板的位置和用于相对于第2处理模块交接基板的位置之间升降;以及转动机构,其使支承部绕轴转动,以当升降移载部位于第1区域和第2区域时使支承面成为第1朝向,当升降移载部在第1区域与第2区域之间升降时使支承面成为相对于水平面的倾斜度大于第1朝向的第2朝向。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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