[发明专利]氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜在审
| 申请号： | 202111358250.9 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114959594A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 宗安慧;奈良淳史 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜。一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。本发明的目的在于提供一种能够形成功函数高的膜的氧化物溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 溅射 及其 制造 方法 以及 薄膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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