[发明专利]一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法在审
| 申请号： | 202111361183.6 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114171392A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 戴伦;程智轩;贾雄辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/35;C23C16/04;C23C16/30;C23C16/40;C23C16/455;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列的方法。该方法先在衬底上生长半导体相碲化钼薄膜，再图案化半导体相碲化钼薄膜并生长钨薄膜，得到金属钨和半导体相碲化钼相间的薄膜，继而通过化学气相沉积法使钨薄膜变为半金属相碲化钨薄膜；再次图案化后得到分立的以半导体相碲化钼为沟道、以半金属相碲化钨为电极的器件阵列；最后通过原子层沉积氧化铪薄膜对器件实现n型掺杂，并制备图案化的顶栅金属电极，获得大面积高性能n型二维碲化钼场效应晶体管阵列。该方法对二维碲化钼n型掺杂效果理想，掺杂程度可调，同时所制备的器件源漏电极接触电阻低，提高了器件性能，为二维半导体材料在集成电路等领域的应用提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大面积 性能 二维 碲化钼 场效应 晶体管 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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