[发明专利]一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法在审
| 申请号： | 202111370657.3 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114093779A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 袁渊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 叶昕;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，属于集成电路封装领域。将多颗需要微凸点制备的芯片装载在临时键合膜上；将装载在临时键合膜上的多颗芯片注塑成型，重构形成圆片；将圆片上的临时键合膜进行解键合后，根据不同芯片的焊盘尺寸，在重构后芯片的焊盘上形成不同开口尺寸的钝化层；进行种子层溅射，为后续电镀工艺形成导电层，并提升电镀凸点的质量；利用光刻胶在开口的焊盘上图像化出不同尺寸微凸点所需的电镀空间；通过一次电镀完成重构后芯片上不同尺寸的微凸点；依次去除图像化后的光刻胶和种子层；将重构圆片进行回流，完成不同尺寸微凸点的制备；将圆片减薄后切割形成单颗芯片，最终完成多芯片上不同尺寸微凸点的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 尺寸 微凸点 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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