[发明专利]具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法有效
| 申请号： | 202111373046.4 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113809181B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 徐永年;杨世红 | 申请（专利权）人： | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/34;H01L21/336;G01K7/00 |
| 代理公司： | 北京前审知识产权代理有限公司 11760 | 代理人： | 张静;李亮谊 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其中，N+衬底包括MOSFET漏极和二极管阴极，N‑外延层层叠于N+衬底的上表面，N‑外延层上表面设有MOSFET的栅极沟槽、多个MOSFET隔离沟槽和至少一个二极管隔离沟槽，栅氧化层生成于N‑外延层、栅极沟槽、隔离沟槽以及二极管隔离沟槽的表面，MOSFET源极在MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，至少一个二极管阳极在二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，至少一个二极管阳极与MOSFET源极的距离小于第一阈值且大于零，所述第一阈值由所述MOSFET结构的耐压等级以及二极管的耐压等级决定。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 温度 检测 功能 mosfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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