[发明专利]用于先进集成电路结构制造的通过自底向上填充金属化而图案化的金属线在审
| 申请号： | 202111373889.4 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114649297A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | R·V·谢比亚姆;C·T·卡弗;K·L·林;M·科布林斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例属于集成电路结构制造的领域。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的多条导电互连线，导电互连线中的各条导电互连线具有顶部和侧壁。蚀刻停止层在导电互连线中的各条导电互连线的顶部上并且沿着导电互连线中的各条导电互连线的整个侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 集成电路 结构 制造 通过 向上 填充 金属化 图案 金属线 | ||
【主权项】：
暂无信息
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