[发明专利]NAND Flash叠层结构栅极制造方法

摘要

本发明公开了一种NAND Flash叠层结构栅极制造方法，包括：第一次生长控制栅多晶硅之后，沉积氧化硅；光刻曝光选择栅极和外围栅极区域需移除层间介质层的区域；层间介质层刻蚀，去除选择栅极和外围栅极顶部曝开区域的氧化硅层、第一次生长的控制栅多晶硅和层间介质层，直至浮栅多晶硅；第二次生长控制栅多晶硅，第二次生长后的控制栅多晶硅底面至少与所述氧化硅层顶面持平；去除高于氧化硅层的第二次生长后的控制栅多晶硅；去除全部氧化硅；第三次生长控制栅多晶硅，使最终控制栅多晶硅的总厚度为设计厚度。采用本发明的工艺方法选择栅极和外围栅极的多晶硅表面不再有明显的凹凸不平的情况，从而可以显著增加后续的工艺窗口，并增加整个工艺流程的窗口。