[发明专利]一种多孔硅基薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种多孔硅基薄膜的制备方法，采用物理气相沉积或者化学气相沉积的方法将Si薄膜与选定的另一种薄膜制备成多层膜结构，被选定的另一种薄膜材料既作为Si扩散出来的辅助材料，又作为Si复合负极中的复合材料；然后在适当的温度下进行热处理，发生非对称扩散，部分硅颗粒从TiO2中扩散出来，之后将扩散到表面的Si去除即得到具有空隙结构的Si基多层膜负极。本发明相比于其他一些Si基薄膜电极的优点：Si基薄膜电极结构稳定，能量密度高，寿命长；Si薄膜造孔方便，容易控制且环境友好；薄膜韧性好，可制备较厚薄膜电极；本方法制得的电极片不仅能缓解Si的体积膨胀、提高锂离子扩散速率，还能保持优异的循环稳定性。