[发明专利]使用写入历史缓冲器来降低写入干扰刷新速率在审
| 申请号： | 202111383032.0 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114649038A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 阿坎克沙·梅塔;本杰明·格拉涅罗;罗坎·玛达;菲利普·希利尔;理查德·P·曼金;普拉尚·S·戴姆勒;库纳尔·A·科恰尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/32;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王小衡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开总体涉及使用写入历史缓冲器来降低写入干扰刷新速率。写入历史缓冲器可以防止存储器中的写入干扰，从而实现写入干扰刷新速率的降低和性能的改进。存储器设备可以包括用于使得对相同地址的连续写入命令隔开一定时间以降低写入干扰的发生率、从而降低所需要的写入干扰刷新速率并改进性能的电路。在一个示例中，存储器设备接收对一个地址的多个写入命令。响应于接收到多个写入命令，向存储器发送第一写入命令并且启动定时器。在第一写入命令之后且在定时器期满之前接收的后续写入命令被保持在缓冲器中。在定时器期满之后，只有到该地址的后续写入命令中的最近的写入命令被发送到存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 写入 历史 缓冲器 降低 干扰 刷新 速率 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111383032.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型中药养生酒
- 下一篇：电子装置及其控制方法
