[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 202111383845.X | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114093996A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王东山;王思博;廖汉忠 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/24;H01L33/06 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 廖娜;李锋 |
| 地址： | 223005 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及发光二极管领域，公开了一种半导体发光器件，包括从下至上依次设置的衬底、外延层、第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；第一电极层包括至少一个第一P型和第二N型电极；第二电极层包括至少一个第二P型和第二N型电极；第一与第二P型电极电性连接，第一与第二N型电极电性连接；第二P型电极的临近N型半导体层外缘的外侧面上设置有至少一个用于减小所述第二电极层面积的内凹部；各内凹部的总面积占第二电极层面积的5~20%。本申请在保证第一和第二P型电极正常的电性连接的情况下，通过在第二P型电极临近N型半导体层外缘的外侧面上设置内凹部，实现减小第二电极层的面积，提高芯片的反射率，从而提高芯片整体亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
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