[发明专利]用于纳米线晶体管的局部化间隔体及制造方法在审
| 申请号： | 202111385053.6 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114664917A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | S·纳斯卡尔;W·拉赫马迪;H-F·李;C·帕克;P·瓦德瓦;T·加尼;M·哈桑;J·林 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/775;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体管包括在第二沟道层上方的第一沟道层、耦合到第一沟道层和第二沟道层的第一端的外延源极结构、以及耦合到第一沟道层和第二沟道层的第二端的外延漏极结构。晶体管包括在外延源极结构与外延漏极结构之间的栅极，其中，栅极在第一沟道层之上并且在第一沟道层与第二沟道层之间。晶体管包括第一材料的第一间隔体，在第一沟道层和第二沟道层之间。第一间隔体具有在栅极与外延源极结构之间以及在栅极与外延漏极结构之间的至少一个凸面侧壁。晶体管还包括在第一沟道层之上的具有基本上垂直的侧壁的第二间隔体，该第二间隔体具有第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 晶体管 局部 间隔 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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