[发明专利]RAM的读写控制方法在审
| 申请号： | 202111386213.9 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114265796A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 赵强 | 申请（专利权）人： | 四川和芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RAM的读写控制方法，其包括如下步骤：a.外部数据输入RAM控制顶层的输入模块，获取输入数据的位宽信息；b.根据RAM的位宽信息配置输入模块中输入数据的位宽比与RAM控制顶层的输出模块中输出数据的位宽比；c.产生RAM写使能信号与写地址信息，根据输入模块中的输入数据的位宽比将外部数据写入RAM内；d.产生RAM读使能信号与读地址信息，根据输出模块中的输出数据的位宽比从RAM中将数据读出至输出模块。本发明的RAM的读写控制方法减少了开发人员的重复性工作，且可适用于同一个项目中不同的模块以及不同的项目模块，提高了通用性。 | ||
| 搜索关键词： | ram 读写 控制 方法 | ||
【主权项】：
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