[发明专利]闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质有效
| 申请号： | 202111386381.8 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114267402B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 王文静;王明;李佳泽 | 申请（专利权）人： | 上海芯存天下电子科技有限公司;芯天下技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C29/06;G11C29/08;G11C29/56 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超 |
| 地址： | 201208 上海市浦东新区自由贸易*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片技术领域，具体公开了一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括以下步骤：对芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果；该方法对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储 单元测试 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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