[发明专利]半导体制备装置在审
| 申请号： | 202111387359.5 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116145105A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 朱海洋;荆学珍;刘月华;伍斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体制备装置，包括：腔体；位于所述腔体内的工作台；位于所述工作台上方的盖板，所述盖板具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面面向所述工作台，所述盖板边缘与所述腔体侧壁固定；位于所述腔体上方的光源；位于腔体底部的第一基板，所述第一基板内具有若干沿垂直于第二表面贯穿所述第一基板表面的若干第一基板孔洞，所述第一基板投影于所述第二表面的图形为第一图形，所述第一图形为中心对称图形，所述第一图形的对称中心与第二表面的中心重合。所述半导体制备装置的使用寿命更长，同时使制备工艺的稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制备 装置 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
