[发明专利]一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台在审
| 申请号： | 202111390045.0 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114121670A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种鳍结构造型方法、器件、存储介质及机台；其中，鳍造型方法在保持良好防穿透性能的同时，通过鳍结构收缩的APT（Anti Punch Through）区域，获得了高的载流子迁移率；其中，通过刻蚀区、层间介质的预设及回刻获得了沟槽和鳍结构，通过三处台阶处理和表面处理，形成了APT凹槽结构；相关的器件、存储介质及机台同样以上述结构为核心，改善了APT特性和产品的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 造型 方法 器件 存储 介质 机台 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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