[发明专利]阵列基板、掩膜板、显示装置及阵列基板的制作方法在审
申请号: | 202111395215.4 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN114122022A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 李凯;方业周;李峰;姚磊;苏海东;王成龙;闫雷;高云;朱晓刚;杨桦;候林;孟浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1345;G02F1/1362;G03F1/00;G03F1/70 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李莎 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供的一种阵列基板、掩膜板、显示装置及阵列基板的制作方法,包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区和扇出区,所述扇出区设置有多条栅线,相邻所述栅线的间距为4.2μm至4.7μm。本申请通过将扇出区的栅线间距降低至4.2μm至4.7μm,从而将布线间距从5.5μm降低了1μm左右,相比之下降低了18%左右的间距距离。通过调整基板制作过程中的掩膜板,使扇出区的掩膜板从全透改变为半透,从而在完成光刻时,半透区域对应的金属层上还会有光刻胶保留,从而保护扇出区的金属层不会进行湿法刻蚀,从而降低了栅线的CDBias,从而降低了栅线间的间距,进而为实现更窄的边框提供了技术支持。 | ||
搜索关键词: | 阵列 掩膜板 显示装置 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的