[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111397671.2 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114121887A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 潘震;伍术 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/00;H01L21/768;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底一侧的功能层，以及功能层背离衬底一侧的连接线，功能层中可以包括多个功能单元，以及在垂直所述衬底表面的方向上贯穿所述功能层的隔离结构，所述隔离结构在平行所述衬底表面的方向延伸，以将所述多个功能单元分隔为多组；所述连接线用于与所述功能单元电连接，隔离结构与功能层形成方式不同，延伸方向不同，因此隔离结构和功能层的接触位置的机械强度较差，容易断裂，因此可以设置隔离结构和连接线在衬底表面上的投影相交，即可以在隔离结构正上方设置连接线，连接线跨过隔离结构设置，从而可以增强隔离结构和功能层的接触位置的机械强度，从而增强半导体器件的整体机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111397671.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：便携式柔光箱
- 下一篇：一种多功能低压三相综合调节装置
