[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111400001.1 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114267716A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 魏国栋;李杰;李佳玲 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 赖远龙 |
| 地址： | 518116 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，通过在漂移区的第一表层设置具有第一端和第二端的电阻结构，并将第一端与栅极区电连接，第二端与漏极区电连接，相当于在栅极区和漏极区之间并联了一个电阻，如此当半导体器件应用于半导体芯片时，则无需在半导体芯片内额外集成电阻，通过将电阻集成在半导体器件中，便于调整电阻阻值，且能够降低半导体芯片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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