[发明专利]一种半导体用晶圆扩晶系统在审
申请号: | 202111410268.9 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN114242635A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 许霞仂 | 申请(专利权)人: | 许霞仂 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 344000 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种半导体用晶圆扩晶系统,包括机壳,机壳内设有动力腔,动力腔左右两侧端面内对称设有两个带轮腔,动力腔下端壁内设有偏轴轮腔,机壳内设有扩晶机构、辅助机构、传动机构,扩晶机构能够对晶圆进行挤压,使晶圆产生塑形变形,实现晶圆的扩晶,辅助机构能够完成扩晶过程中加热,贴蓝膜等辅助工作,传动机构能够为扩晶机构、辅助机构提供动力,通过扩晶机构中设有的能够平移运动的扶正板,从而能够调整晶圆位置,从而保证晶圆扩晶时位置处于放置腔中间位置,通过辅助机构中设有的能够自动旋转放料、卷料的放卷轮,从而实现蓝膜的自动覆盖晶圆,保证扩晶质量,通过扩晶机构中设有的能够旋转切割蓝膜的切割刀,从而实现自动切割蓝膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 用晶圆扩 晶系 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许霞仂,未经许霞仂许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111410268.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:碱液浓度自控技术
- 下一篇:一种变电站辅助信息传输装置及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造