[发明专利]图像传感器在审
| 申请号： | 202111411689.3 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114566512A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李卿德;白承起;李景镐;金显喆;薛斗植;郑泰燮;藤田雅人 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器，包括：(1)具有在第一方向上彼此相对的第一和第二表面以及多个单位像素的基板，(2)设置在基板中的、多个单位像素中的每一个中并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此隔离的第一光电二极管和第二光电二极管，(3)设置在多个单位像素之间的第一器件隔离膜，以及(4)设置在多个单位像素中的至少一个中的像素内部隔离膜。第二器件隔离膜在第一方向上与第一光电二极管和第二光电二极管中的至少一个重叠。一对第三器件隔离膜：(a)在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一器件隔离膜延伸到单位像素中，并且(b)彼此相对。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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