[发明专利]一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法及装置在审

专利信息
申请号: 202111414586.2 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN114150293A 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 朱权;李象远 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455
代理公司: 成都瑞创华盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51270 代理人: 邓瑞;辜强
地址: 610065 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积方法,包括以下步骤:S1:对样件进行预处理操作;S2:对经预处理操作后的样件通过CVD方式利用TiN原料气沉积TiN涂层;S3:对沉积TiN涂层后的样件进行正硅酸乙酯自分解反应通过MOCVD沉积方式沉积SiO2涂层;S4:对样件进行降温。一种TiN与二氧化硅双层涂层的沉积装置,包括CVD气体供应系统、MOCVD气体供应系统以及沉积系统;所述CVD气体供应系统与MOCVD气体供应系统均连接至沉积系统;所述沉积系统内进行TiN涂层的沉积与SiO2涂层的沉积,所述CVD气体供应系统在沉积系统内进行TiN涂层的沉积时为沉积系统提供TiN原料气,所述MOCVD气体供应系统在沉积系统内进行SiO2涂层的沉积时为沉积系统提供SiO2原料气。形成的涂层具有良好的断裂韧性和致密性,有效抑制结焦。
搜索关键词: 一种 tin 二氧化硅 双层 涂层 沉积 方法 装置
【主权项】:
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