[发明专利]拉晶方法和单晶硅片在审
| 申请号： | 202111418337.0 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114232079A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘平虎;白喜军;谭明科;郑晓杨;陈秋苹;李德勇;龚柳全;周云 | 申请（专利权）人： | 华坪隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 674802 云南省丽*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种拉晶方法和单晶硅片，涉及晶体生长技术领域。拉晶方法包括：将单晶炉中，主加热器、副加热器之间的间距缩短至第一预设距离；在熔料阶段，将主加热器的加热功率增加至第一预设值，将副加热器的加热功率增加至第二预设值。主加热器、副加热器之间的间距缩短，熔料阶段主加热器的加热功率增加，副加热器的加热功率增加，在熔料阶段热量较集中，提升了熔料速率，减少坩埚、熔硅与氧的反应，减少了氧杂质的产生，且减少了熔料时间，提升了拉晶效率。降低了自然对流，使得自然对流对坩埚进行冲刷产生的氧杂质减少，减少了晶棒中的氧杂质，纵向温度梯度低可以提升晶体生长界面的稳定性，不易断线。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 单晶硅 | ||
【主权项】：
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