[发明专利]基于铜衬底上高膜基结合力的陶瓷基梯度镀层及制备方法有效
申请号: | 202111422457.8 | 申请日: | 2021-11-26 |
公开(公告)号: | CN114086122B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 鞠洪博;汪然;喻利花;许俊华 | 申请(专利权)人: | 江苏科技大学 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;C21D1/10;C21D1/62;C21D9/32 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 陆涛 |
地址: | 212100 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于铜衬底上高膜基结合力的陶瓷基梯度镀层,以薄膜热膨胀系数递减为顺序,依次沉积Ti‑Cr薄膜、Ti‑Cr‑Zr薄膜、Ti‑Zr薄膜与TiN+ZrN薄膜,形成纳米结构多层膜材料作为镀层,所述薄膜厚度为2.5μm‑10μm。同时公开了该多层膜结构镀层的制备方法。本发明的Ti‑Cr/Ti‑Cr‑Zr/Ti‑Zr/TiN+ZrN梯度涂层与铜衬底结合力高,且具有工艺流程简单,生产效率高的优点,可应用于铜制器件表面的力学、耐磨损性和绝缘性能改性;解决目前工业应用过程中传感器和对向工件之间因碰撞而发生的打火问题。 | ||
搜索关键词: | 基于 衬底 上高膜基 结合 陶瓷 梯度 镀层 制备 方法 | ||
【主权项】:
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